產品詳情
ENI1220 IPM 測試系統(tǒng)
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系統(tǒng)概述 |
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基礎配置 |
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該系統(tǒng)是測試IPM的測試設備，輸出電壓3000v.電流3000A, 系統(tǒng)通過外接數(shù)字溫度計來觀察vf的特征在通過標準溫度和測量溫度下的溫度特征。 |
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電壓 |
電流 |
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標配 |
選配 |
標配 |
選配 |
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1200V |
1000V |
200A |
200A |
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2200V |
400A |
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3300V |
600A |
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4500V |
1000A |
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6000V |
2000A |
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配置/短路測試 |
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電壓 |
電流 |
短路測試 |
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標配 |
選配 |
標配 |
選配 |
項目 |
范圍 |
誤差 |
分辨率 |
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1200V |
2200V |
200A |
400A |
VPN |
100V～1200V |
±3% |
10V |
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3300V |
600A |
測試電流 |
10A～75A |
±3% |
1A |
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4500V |
1000A |
短路電流 |
100A～500A |
±3% |
1A |
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6000V |
2000A |
短路時間 |
1 uS～10uS |
可調 |
可調 |
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測試功能 |
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測試范圍 |
測試參數(shù) |
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IPM |
BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS |
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IGBT |
ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT) |
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DIODE |
VF-Temp, Temp, VF revision |
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參數(shù) / 精度 |
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靜態(tài)參數(shù) |
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動態(tài)參數(shù) |
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上橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-H) |
上 橋 開 關 參 數(shù) |
集電極電壓Vce： 100～1200V， |
誤差±3%,分辨率10V |
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上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H) |
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上橋驅動IC低端靜態(tài)電流測試(IDH) |
集電極電流Ice： 10～75A， |
誤差±3%,分辨率1A |
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上橋驅動IC高端靜態(tài)工作電流測試 （Iqbs-U,V,W） |
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VD=VBS=15V, |
誤差±3%,分辨率0.1V |
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上橋欠壓保護監(jiān)測電平 （UVbsd-U V W） |
VIN=0～5V |
誤差±3%,分辨率0.1V |
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上橋欠壓保護復位電平（UVbsr-U V W） |
ton-L : 10～500nS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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上橋驅動IC導通閾值電壓測試 （Vth（on）-UH VH WH） |
tc（on）-L :5～200ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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toff-L: 50～500ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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上橋驅動IC關斷閾值電壓測試 （Vth（off）-UH VH WH） |
tc(off)-L: 5～200ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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Trr-L :10～500ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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上橋IGBT飽和電壓測試（Vce(sat)-UH VH WH） |
Eon-L :0.1～10ｍＪ, |
誤差±3%,分辨率0.1mJ |
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上橋FRD正向壓降測試（VF-(UH VH WH) |
Eoff-L： 0.1～10ｍＪ |
誤差±3%,分辨率0.1mJ |
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下橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-L) |
下 橋 開 關 參 數(shù) |
集電極電壓Vce： 100～1200V， |
誤差±3%,分辨率10V |
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下橋驅動IC靜態(tài)工作電流測試（IDL） |
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故障輸出電壓測試（Vfoh Vfol） |
集電極電流Ice： 10～75A， |
誤差±3%,分辨率1A |
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過流保護閾值電壓測試（Vcin（ref）） |
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下橋欠壓保護監(jiān)測電平（UVdd） |
VD=VBS=15V, |
誤差±3%,分辨率0.1V |
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下橋欠壓保護復位電平（UVdr） |
VIN=0～5V |
誤差±3%,分辨率0.1V |
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下橋驅動IC導通閾值電壓 （Vth（on）-UL VL WL） |
ton-L : 10～500nS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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tc（on）-L :5～200ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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下橋驅動IC關斷閾值電壓 （Vth（off）-UL VL WL） |
toff-L: 50～500ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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tc(off)-L: 5～200ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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下橋IGBT飽和電壓測試（Vce(sat)-UL VL WL） |
Trr-L :10～500ｎS, |
誤差±3%,分辨率1nS |
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下橋FRD正向壓降測試（VF-(UL VL WL) |
Eon-L :0.1～10ｍＪ, |
誤差±3%,分辨率0.1mJ |
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Eoff-L： 0.1～10ｍＪ |
誤差±3%,分辨率0.1mJ |
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