產(chǎn)品詳情
干法清洗采用氣相化學(xué)法去除晶片表面污染物。哈默納科精密關(guān)節(jié)諧波CSF-17-50-2UH氣相化學(xué)法主要有熱氧化法和等離子清洗法等,清洗過程就是將熱化學(xué)氣體或等離子態(tài)反應(yīng)氣體導(dǎo)入反應(yīng)室,反應(yīng)氣體與晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成易揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物被真空抽去。哈默納科精密關(guān)節(jié)諧波CSF-17-50-2UH各種污染物的去除措施分別列于表4。在CI包容環(huán)境中退火是一種典型的熱氧化過程,在氧化爐中進行,氬(Ar)濺射通常在濺射淀積前現(xiàn)場進行。
等離子清洗采用激光、微波、熱電離等措施哈默納科精密關(guān)節(jié)諧波CSF-17-50-2UH將無機氣體激發(fā)到等離子態(tài)活性粒子,活性粒子與表面分子反應(yīng)生成產(chǎn)物分子,產(chǎn)物分子進一步解析形成氣相殘余物脫離表面。 4 y)