產(chǎn)品詳情
鋁硅合金CNC加工廠，鈞杰陶瓷擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備,并且還有一群一流的生產(chǎn)技術(shù)管理人員,產(chǎn)品質(zhì)量現(xiàn)已達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)的水準(zhǔn).鈞杰陶瓷專注品質(zhì)第一,服務(wù)至上,求實(shí)創(chuàng)新,持續(xù)改善公司的經(jīng)營理念,最大限度地提供令客戶滿意的產(chǎn)品,真誠的與廣大新老客戶攜手合作,永續(xù)經(jīng)營之道.客戶可來樣來圖訂制各類陶瓷工件，陶瓷結(jié)構(gòu)件,在線咨詢鈞杰陶瓷電話：137 1257 4098
iC 體積分?jǐn)?shù)相同, 因基體合金和浸滲技術(shù)的不同, AlSiC 封裝材料的彎曲強(qiáng)度和彈性模量相差較大。SiC體積分?jǐn)?shù)為70%時(shí), 與用 Al-Si-Mg系合金和無壓浸滲制備的復(fù)合材料相比, 用 AlSi20合金和擠壓鑄造技術(shù)制備的復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度提高了37%，但彈性模量降低 17%。SiC 體積分?jǐn)?shù)為60%和采用擠壓鑄造制備復(fù)合材料時(shí), 與基體為 AlSi12合金的相比, 基體合金為 Al-Cu4MgAg 的 AlSiC 封裝材料的彎曲強(qiáng)度和彈性模量分別提高73. 2% 和18%。表1中所使用的基體合金，除 99. 7% Al 合金外, 其余均是可熱處理強(qiáng)化的合金, 改變熱處理工藝可獲取不同性能的封裝構(gòu)件, 如 60vol% SiCp/ AlCu4M gAg 封裝材料, 鑄造態(tài)和T6態(tài)的彎曲強(qiáng)度分別為 673. 2M Pa和 703. 5M Pa，而布氏硬度則分別為273和360。氣密性鋁硅合金CNC加工廠
眾所周知, 氣密性是封裝材料及構(gòu)件的重要指標(biāo)之一, 氣密性不好會(huì)使外界水汽、 有害離子或氣體進(jìn)入封裝構(gòu)件中, 使封裝構(gòu)件產(chǎn)生表面漏電、結(jié)構(gòu)發(fā)生變化、 參數(shù)變化等失效模式。影響AlSiC 電子封裝材料氣密性的主要因素有: 制備工藝、 材料表面粗糙度等。如采用擠壓鑄造、 真空壓力浸滲和無壓浸滲制備AlSiC封裝材料, 材料孔隙率分別為 0. 7% ~ 3%、 0. 5% ~2%和 2. 9% ~ 5. 9%。為提高材料的氣密性, 必須減小材料中的孔隙率, 由于 AlSiC 中含有大量堅(jiān)硬的 SiC 粉末, 因此常采用熱等靜壓工藝進(jìn)行致密化處理。國外廠商生產(chǎn)的 AlSiC封裝材料的氣密性指標(biāo)都小于 10- 10 Pa·m3 / s。作者和崔巖分別采用真空壓力浸滲和無壓浸滲制備的 AlSiC 封裝材料的氣密性均能達(dá)到小于 5x 10- 9 Pa·m3 / s, 滿足了國軍標(biāo)對(duì)封裝材料氣密性的要求。
AlSiC 復(fù)合材料的顯微組織如下圖所示。由圖可以看到AlSiC復(fù)合材料的組織均勻致密，無雜質(zhì)、氣孔等缺陷，細(xì)小的SiC 顆粒充分填充到粗大顆粒的間隙中，分布均勻，無顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象，致密的組織不但可以提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱率，還能提高材料的力學(xué)性能。熱膨脹系數(shù)
熱膨脹系數(shù)的測試結(jié)果如圖2所示。60%A1SiC復(fù)合材料25℃～100℃之間的平均線膨脹系數(shù)介于(6.7～8.4 ) x 10-6K-1之間， 低于常用封裝材料 Mo/10vol%Cu( 8.7x 10-6K-1)的熱膨脹系數(shù)，能夠滿足電子封裝應(yīng)用的性能要求。AlSiC 復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)隨著溫度升高而增加，在相同溫度下隨著SiC 顆粒體積分?jǐn)?shù)的增加而降低。對(duì)復(fù)合材料而言， 其熱膨脹系數(shù)主要取決于基體的熱膨脹系數(shù)和增強(qiáng)體通過基體 一增強(qiáng)體界面對(duì)基體的制約程度。一方面，由于鋁的熱膨脹系數(shù)隨溫度的提高而增大，導(dǎo)致復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)也隨溫度提高而增大。 另一方面，隨溫度提高，復(fù)合材料中增強(qiáng)體-基體界面?zhèn)鬏d能力下降，增強(qiáng)體對(duì)基體膨脹的鋁硅合金CNC加工廠在線咨詢鈞杰陶瓷電話：137 1257 4098
iC 體積分?jǐn)?shù)相同, 因基體合金和浸滲技術(shù)的不同, AlSiC 封裝材料的彎曲強(qiáng)度和彈性模量相差較大。SiC體積分?jǐn)?shù)為70%時(shí), 與用 Al-Si-Mg系合金和無壓浸滲制備的復(fù)合材料相比, 用 AlSi20合金和擠壓鑄造技術(shù)制備的復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度提高了37%，但彈性模量降低 17%。SiC 體積分?jǐn)?shù)為60%和采用擠壓鑄造制備復(fù)合材料時(shí), 與基體為 AlSi12合金的相比, 基體合金為 Al-Cu4MgAg 的 AlSiC 封裝材料的彎曲強(qiáng)度和彈性模量分別提高73. 2% 和18%。表1中所使用的基體合金，除 99. 7% Al 合金外, 其余均是可熱處理強(qiáng)化的合金, 改變熱處理工藝可獲取不同性能的封裝構(gòu)件, 如 60vol% SiCp/ AlCu4M gAg 封裝材料, 鑄造態(tài)和T6態(tài)的彎曲強(qiáng)度分別為 673. 2M Pa和 703. 5M Pa，而布氏硬度則分別為273和360。氣密性鋁硅合金CNC加工廠
眾所周知, 氣密性是封裝材料及構(gòu)件的重要指標(biāo)之一, 氣密性不好會(huì)使外界水汽、 有害離子或氣體進(jìn)入封裝構(gòu)件中, 使封裝構(gòu)件產(chǎn)生表面漏電、結(jié)構(gòu)發(fā)生變化、 參數(shù)變化等失效模式。影響AlSiC 電子封裝材料氣密性的主要因素有: 制備工藝、 材料表面粗糙度等。如采用擠壓鑄造、 真空壓力浸滲和無壓浸滲制備AlSiC封裝材料, 材料孔隙率分別為 0. 7% ~ 3%、 0. 5% ~2%和 2. 9% ~ 5. 9%。為提高材料的氣密性, 必須減小材料中的孔隙率, 由于 AlSiC 中含有大量堅(jiān)硬的 SiC 粉末, 因此常采用熱等靜壓工藝進(jìn)行致密化處理。國外廠商生產(chǎn)的 AlSiC封裝材料的氣密性指標(biāo)都小于 10- 10 Pa·m3 / s。作者和崔巖分別采用真空壓力浸滲和無壓浸滲制備的 AlSiC 封裝材料的氣密性均能達(dá)到小于 5x 10- 9 Pa·m3 / s, 滿足了國軍標(biāo)對(duì)封裝材料氣密性的要求。
AlSiC 復(fù)合材料的顯微組織如下圖所示。由圖可以看到AlSiC復(fù)合材料的組織均勻致密，無雜質(zhì)、氣孔等缺陷，細(xì)小的SiC 顆粒充分填充到粗大顆粒的間隙中，分布均勻，無顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象，致密的組織不但可以提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱率，還能提高材料的力學(xué)性能。熱膨脹系數(shù)
熱膨脹系數(shù)的測試結(jié)果如圖2所示。60%A1SiC復(fù)合材料25℃～100℃之間的平均線膨脹系數(shù)介于(6.7～8.4 ) x 10-6K-1之間， 低于常用封裝材料 Mo/10vol%Cu( 8.7x 10-6K-1)的熱膨脹系數(shù)，能夠滿足電子封裝應(yīng)用的性能要求。AlSiC 復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)隨著溫度升高而增加，在相同溫度下隨著SiC 顆粒體積分?jǐn)?shù)的增加而降低。對(duì)復(fù)合材料而言， 其熱膨脹系數(shù)主要取決于基體的熱膨脹系數(shù)和增強(qiáng)體通過基體 一增強(qiáng)體界面對(duì)基體的制約程度。一方面，由于鋁的熱膨脹系數(shù)隨溫度的提高而增大，導(dǎo)致復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)也隨溫度提高而增大。 另一方面，隨溫度提高，復(fù)合材料中增強(qiáng)體-基體界面?zhèn)鬏d能力下降，增強(qiáng)體對(duì)基體膨脹的鋁硅合金CNC加工廠在線咨詢鈞杰陶瓷電話：137 1257 4098
