產(chǎn)品詳情
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCRD8000
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCRD8000
基礎(chǔ)信息
1. 門極觸發(fā):VGT、IGT
2. 維持電流:IH、IL
3. 阻斷參數(shù):VD、VR、ID、IR
4. 壓降參數(shù):VTM、ITM
5. 電壓上升率:dv/dt
6. 電流變化率:di/dt
7. 關(guān)斷時(shí)間:Tq
8. 恢復(fù)電荷:Qr、Irr、Trr
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCRD8000
主要量程
1. 陽(yáng)極電壓:12V
2. 陽(yáng)極串聯(lián)電阻:12Ω
3. 門極觸發(fā)電壓:0.3—5.00V
4. 門極觸發(fā)電流:1—500mA
5. 維持電流:1—500mA
6. 擎住電流:5—1000mA
7. 通態(tài)電流:600—8000A
8. 通態(tài)壓降:0.3—9.99V
9. 阻斷電壓:200—8000V
10. 正反向漏電流:1—250mA
11. dv/dt箝位電壓VDM:500~4KV
12. 電壓上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
13. 通態(tài)電流:200—2000A
14. 反向電壓:50—200V
15. 再加電壓:500—3000V
16. 關(guān)斷時(shí)間:4—1500μS
17. 反恢電荷:200μQ—15000μQ
18. 再加電壓上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS
19. di/dt:10A/μS、20A/μS
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCRD8000
氣動(dòng)夾具
1. 壓力方式:氣壓
2. 壓力范圍:10~60KN
3. 壓力分辨率:0.1KN
4. 控溫范圍:70~180℃
5. 控溫精度:70℃—125℃±1.0℃
6. 控溫精度:125℃—180℃±1.5℃
7. 溫度分辨率:0.1℃
8. 夾頭耐壓:10KV
9. 夾頭行程:≥80mm
10. 臺(tái)面直徑:大于Φ130mm
11. 夾頭找平:≥1mm
12. 夾頭平面度:≤20μm
13. 導(dǎo)柱間跨距:≥310mm
14. 夾頭最大電流:10000A
15. 夾頭極性:上為陰極,下為陽(yáng)極
16. 采樣:上下夾頭采樣頂針同軸
17. 電源:AC50HZ/220V功率≤5KW
18. 夾具可安裝適配器,應(yīng)對(duì)不同封裝
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCRD8000
系統(tǒng)單元
1. 門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元
2. 維持電流測(cè)試單元
3. 擎住電流測(cè)試單元
4. 阻斷參數(shù)測(cè)試單元
5. 通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元
6. 電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元
7. 關(guān)斷時(shí)間參數(shù)測(cè)試單元
8. 恢復(fù)電荷參數(shù)測(cè)試單元
9. 自動(dòng)熱穩(wěn)態(tài)壓力夾具
10. 計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
11. PLC控制系統(tǒng)
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCRD8000
性能指標(biāo)
通態(tài)壓降測(cè)試
1. 通態(tài)電流:600—8000A±3%±10A
2. 通態(tài)壓降:0.3—9.99V±3%±10mV
3. 電流達(dá)到電流峰值的時(shí)間:≥5ms
4. 可測(cè)設(shè)定前沿電流和后沿電流的壓降??蓽y(cè)門檻電壓和斜率電阻
5. (此功能由單獨(dú)“通態(tài)特性曲線”測(cè)試程序完成)
6. 測(cè)試頻率:?jiǎn)未?/span>
7. 計(jì)算機(jī)顯示:ITM/IFM,VTM/VFM數(shù)值
dv/dt測(cè)試
1. dv/dt箝位電壓VDM:500—4000V,數(shù)碼設(shè)定,數(shù)字表顯示
2. dv/dt箝位電壓VDM靜態(tài)精度:±5%
3. 電壓上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
4. 電壓上升率誤差:±10%(在再加電壓2000V(負(fù)載電容2.2nF)
5. 下作為考核點(diǎn))最大過(guò)壓時(shí)間超過(guò)0.5us的瞬態(tài)電壓<200V
6. 信號(hào)指示:具有測(cè)試信號(hào)指示、通過(guò)指示、失敗指示
7. 測(cè)試頻率:約0.5HZ;電壓近似線性上升率"
高壓伏安特性
1. 阻斷電壓:200—8000V±3%±10V
2. 電壓分辨率:0.01KV
3. 正反向漏電流:1—250mA±3%±0.1mA
4. 正反向漏電流分辨率:0.1mA
5. 顯示阻斷特性曲線,設(shè)備有輸出電壓和電流保護(hù)功能
6. 測(cè)試頻率:5或50HZ
7. 電壓調(diào)節(jié):手動(dòng)調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)顯示阻斷電壓和漏電流數(shù)值
門極觸發(fā)特性
1. 陽(yáng)極電壓:12V
2. 陽(yáng)極串聯(lián)電阻:12Ω
3. 門極觸發(fā)電壓:0.3—5.00V±5%±10mV
4. 門極觸發(fā)電流:1—500mA±5%±1mA
5. 測(cè)試頻率:?jiǎn)未斡?jì)算機(jī)顯示VGT、IGT數(shù)值
擎住電流
1. 陽(yáng)極電壓:12V
2. 擎住電流:5—1000mA±5%±1mA
3. 計(jì)算機(jī)顯示:IL數(shù)值
維持電流
1. 陽(yáng)極電壓:12V
2. 維持電流:1—500mA±5%±1mA
3. 測(cè)試頻率:?jiǎn)未晤A(yù)導(dǎo)通電流:約10A、20A和40A三檔
4. 計(jì)算機(jī)顯示:IH數(shù)值
關(guān)斷時(shí)間及恢復(fù)電荷
1. 通態(tài)電流:200—2000A±5%(數(shù)碼設(shè)定)
2. 脈寬4Ms
3. 反向電壓:50—200V
4. 反向設(shè)定電壓靜態(tài)精度±5%(數(shù)碼設(shè)定)
5. 再加電壓:500—3000V
6. 再加電壓靜態(tài)設(shè)定精度±5%(數(shù)碼設(shè)定)
7. 關(guān)斷時(shí)間:4—1500μS±5%±1μS
8. 反向恢復(fù)電荷:大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ
9. 重復(fù)性:快速晶閘管±50μQ;普通晶閘管±100μQ
10. 再加電壓上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS三檔
11. ±10%再加電壓在1000V(負(fù)載電容2.2nF)下作為考核點(diǎn)
12. 電壓上升率按指數(shù)法計(jì)算
13. 反向電流di/dt:10A/μS、20A/μS,精度±15%,電流在 1500A下作為考核點(diǎn)。
14. 測(cè)試頻率:約0.5HZ
15. 配有電壓電流的校驗(yàn)程序(僅供校驗(yàn)用)"
大功率可控硅靜態(tài)動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試系統(tǒng)SCRD8000
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)